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Ab-initio Untersuchungen von Phosphorfehlstellen in der Silizium(111)-(2x1) Oberfläche

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https://osnadocs.ub.uni-osnabrueck.de/handle/urn:nbn:de:gbv:700-2017052615933
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DC ElementWertSprache
dc.contributor.advisorProf. Dr. Michael Rohlfing
dc.creatorPötter, Mirco
dc.date.accessioned2017-05-26T13:55:01Z
dc.date.available2017-05-26T13:55:01Z
dc.date.issued2017-05-26T13:55:01Z
dc.identifier.urihttps://osnadocs.ub.uni-osnabrueck.de/handle/urn:nbn:de:gbv:700-2017052615933-
dc.description.abstractIn der Arbeit werden Fehlstellen in der Silizium (2x1)-(111)-Oberfläche mit den ab-initio-Methoden DFT-LDA und GdW betrachtet. Zunächst werden dabei die bei dieser Oberfläche auftretenden Pandeyketten innerhalb der DFT-LDA näher betrachtet und der Einfluss zwischen und innerhalb der Ketten untersucht. Um den Einfluss der Phosphorfehlstelle zu betrachten wird ein System erstellt, das groß genug ist, um einzelne Defekte in der Oberfläche untersuchen zu können. Die Ergebnisse der DFT werden durch Berechnungen der Vielteilchenstörungstheorie GdW erweitert, wodurch gleichzeitig gezeigt werden konnte, dass sich die GdW auf Systeme mit 600 Elektronen anwenden lässt. Weiterhin wird durch Betrachtung der ortsaufgelösten DOS die Wechselwirkung der Phosphordotierung mit dem Siliziumkristall untersucht.ger
dc.rightsNamensnennung-NichtKommerziell-KeineBearbeitung 3.0 Unported-
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/-
dc.subjectSiliziumger
dc.subject(2x1)-(111)-Oberflächeger
dc.subjectPhosphordotierungger
dc.subjectab-initioger
dc.subjectDFTger
dc.subjectDFT-LDAger
dc.subjectGWAger
dc.subjectGdWger
dc.subject.ddc530 - Physik
dc.titleAb-initio Untersuchungen von Phosphorfehlstellen in der Silizium(111)-(2x1) Oberflächeger
dc.typeDissertation oder Habilitation [doctoralThesis]-
thesis.locationOsnabrück-
thesis.institutionUniversität-
thesis.typeDissertation [thesis.doctoral]-
thesis.date2017-05-02-
dc.contributor.refereeProf. Dr. Alfred Ziegler
vCard.ORGFB4
Enthalten in den Sammlungen:FB06 - E-Dissertationen

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